塑封二极管的失效，很多时候不是发生在额定电流上，而是发生在湿气上。

潮湿环境里放了一段时间的整机，返修拆到二极管这一级，反向漏电流常常已经飘了几倍。芯片没烧、键合点也没断，问题多半藏在环氧封装与引线框架之间那条肉眼看不见的界面里。水汽沿着界面往里渗，带着封装残留的离子，一点点蚀掉铝丝、蚀穿钝化层。这个过程在常温下要走好几年，实验室等不起。

PCT高压加速老化箱要做的，就是把它压缩到几天。

密闭腔体里把去离子水加热成饱和蒸汽，蒸汽出不去，压力随之升高，水的沸点也就越过100℃。121℃对应约2个标准大气压，132℃对应约2.8个标准大气压。饱和状态下温度与压力一一对应，设定了温度，压力就是那个值，没有单独调压力的余地。常见条件是121℃、100%RH、约2个大气压，时长按JESD22-A102一类要求定，96小时居多。

二极管之间，先垮的地方并不一样。肖特基芯片是金属-半导体结，对离子污染敏感，漏电流涨得早；塑封整流管更多先出现界面分层，分层一旦打通水汽通路，接下来就是银迁移和引脚间短路。带偏压的HAST样品，电化学腐蚀被放大，漏电流曲线中途就拐弯，比无偏压的PCT暴露得更早。

箱体上有几项指标，看参数表看不出来，却直接决定数据能不能信。

温场均匀度和压力控制精度得分开看。饱和蒸汽环境里，腔体上下温差决定不同位置样品承受的应力是否一致，满载和空载经常是两回事。压力波动一大，蒸汽饱和度就守不住，样品表面在干湿之间反复，加速因子也没法往下算。设备不能只看标称范围，要看满载连续运行时的压力与温度曲线。

蒸汽流道也容易被忽视。样品堆得过密、托盘顶在出气口前面，局部循环就停了，同一炉里有的老得快有的老得慢，事后连该信哪组数据都说不清。腔体结构上留出环形蒸汽通道，让蒸汽绕开样品走，能减少直接冲击，也少一些死角。

还有个操作上的时间窗。试验结束降压不能急，泄压太快样品会吃到冷凝冲击。取出后在标准大气条件下恢复一到四小时，电参数复测尽量在四十八小时内完成。放久了漏电流会回落，看着恢复正常的器件，损伤其实已经留在里面。

PCT试验不是把样品扔进去、到点拿出来那么简单。温度、压力、流道、恢复时间，每一项偏一点，最后那组漏电流数据的意思就可能完全变了。